電気的に中性なアトム粒子は、質の高い化合物を成長させるのにかなり効果的であることが知られています。酸素や窒素が分子状態で存在する場合、原子状態にされた粒子と比較すると反応性が非常に弱いとされます。従って、酸素分子を使用して酸化膜を形成させるには、非常に高い温度と長い反応時間が要求されます。また、窒素分子の場合は、どのような素材に対しても、全く反応性を持ちません。従って原子状態の粒子を作ることは、何乗倍も反応性を高めることになります。 この方法を酸素分子や窒素分子に適用すれば、酸化膜や窒化膜が適当な温度と低圧で形成することが出来ます。しかしプラズマを生成中にイオン粒子が存在すると、この粒子の衝撃によって膜にポイントディフェクトが出来てしまいます。その結果、形成された膜の多くが使用不可能となる場合があります。一方、アトム粒子の場合は運動エネルギーがほとんど無視できるため、ディフェクトの無い膜が短い時間で形成されます。

• 反応性向上による成膜時間の短縮
• 低温、低真空での簡便な膜成長
• イオン粒子軽減による低欠陥膜作製
• 高効率冷却機構と高品質材料使用による不純物生成の抑制